宽带隙半导体透明导电膜研究基地

宽带隙半导体透明导电膜是一种重要的光电子信息材料,在可见光区具有很高的透过率,在红外区又具有很高的反射率,其电阻率接近金属的数值,广泛地应用于光电器件和电子器件。 该所对ITO、SnO2 、ZnO几种重要的宽带隙半导体膜的制备工艺、形貌结构、电子输运、掺杂机理、电子结构等方面进行了系统的研究,形成了宽带隙半导体透明导电膜从制备到性能测量分析、理论计算和新材料探索的研究基地。“30×30CM2 绒面SnO2 透明导电膜”是国家“七五”重点科技攻关项目“大面积透明导电膜技术与设备的研究”中的一个重要研究内容,我们克服了起点低、跨度大、工艺难、时间紧等困难,在国家科委、国家教委的领导下,在兄弟单位的大力协助下,全体攻关人员团结一致,奋勇拼搏,克服了重重困难,解决了SnO2 透明导电膜的参杂、绒面化、大面积膜的均匀性和结构完整性等一系列问题,为建立非晶硅太阳电池中试线和1千瓦太阳能电站作出了贡献。

ITO透明导电膜广泛应用在液晶显示器上,具有广阔的应用市场,该所不失时机地将“30×30CM2 ITO透明导电膜”成果向生产力转化,与烟台无线电一厂进行联合开发研究,被分别列为国家级火炬项目、国家重点企业技术开发项目、山东省技术改造项目、机电部技术改造项目,在开发成功的基础上又与美国合资,建成我国最大的ITO透明导电玻璃生产基地棗多纳勒烟台电子有限公司。

 

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